长飞先进半导体（武汉）有限公司武汉基地航拍图

　　新华网武汉6月5日电（连迅、易珐萱）位于湖北光谷科学岛的长飞先进半导体（武汉）有限公司武汉基地日前正式投产，其首片6英寸碳化硅晶圆下线。

　　长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进半导体公司董事长庄丹介绍，6英寸碳化硅晶圆将被制造成新能源汽车主驱芯片，为车辆提供动力。武汉基地可年产36万片6英寸碳化硅晶圆，达产后每年可满足144万辆新能源车需要，成为全国最大的碳化硅晶圆厂，这有望打破国际垄断，也填补了湖北在高端碳化硅器件制造领域空白。

　　长飞先进半导体公司武汉基地项目总投资200亿元，其中一期项目建设内容包括年产36万片外延厂、年产36万片6寸碳化硅晶圆厂、年产6100万个碳化硅功率模块封测厂，以及覆盖材料、化学分析、可靠性测试、失效分析、产品特性和产品应用的全产业链实验室。武汉基地致力于打造集车规级芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。

　　武汉基地项目由中建一局建设发展公司承建，总建筑面积约30.15万平方米。项目洁净室区域的精密制造环境，对楼面平整度与承载力要求极高。为此项目建设应用超大面积华夫板系统，标准单元跨度达5米×5米，单层铺设面积超万平方米。建设中，技术团队依托BIM技术深度协同，完成大荷载下毫米级平整度控制，确保关键区域楼面一次成型达标。

　　碳化硅是半导体材料，与传统硅相比，碳化硅制成的芯片可在高压、高温下稳定工作。随着新能源汽车充电电压越来越高、充电后续航里程越来越长，碳化硅成为新能源汽车行业“新宠”和全球争相竞逐的产业新赛道。作为引领新能源领域“下一代功率半导体”，碳化硅正迎来发展“黄金时代”。2023年8月，长飞先进半导体公司与武汉东湖高新区签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议，持续扩大公司产能规模。

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