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　　据长飞先进、中国光谷官微消息，6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。接下来将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。

　　据悉，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

　　项目投产后，可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作，加快构建更加完善的碳化硅产业生态。武汉基地是长飞先进发展战略中至关重要的一环，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。

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