近日，据长飞先进武汉基地相关负责人介绍，长飞先进武汉碳化硅基地11月起设备进驻厂房，明年年初开始调试，预计2025年5月量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。

　　资料显示，长飞先进与2023年8月与武汉东湖高新区管委会签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目，该项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

　　当前，第三代化合物半导体在新能源汽车、风光储、电网、智能驾驶、5G等领域得到广泛应用，宽禁带半导体亦随着在终端领域的持续渗透而从导入期过渡到快速发展期。

　　碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势，能够大幅提高器件的能源转化效率、减少能耗并降低系统成本，将逐步取代传统硅基器件进而成为未来功率器件的主流。

　　作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，到2028年全球SiC功率器件市场规模有望达到91.7亿美元。

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