日前，光迅科技高端光电子器件产业基地建设项目一期厂房全面封顶，比预定工期提前15天。

　　该项目位于东湖综保区，一期总建筑面积约15.8万平方米，主要包含办公楼、洁净厂房、研发中心、自动化库房、动力中心及其他辅助用房等10栋单体。

　　目前，项目主要建筑均已实现结构封顶，主厂房砌体施工已完成90%，首层洁净区环氧喷涂及墙板完成40%，即将开始二层洁净工艺施工，预计明年上半年建成投产。

　　光迅科技是国内首家上市的光电子器件公司，也是国内第一家具备光电器件芯片关键技术和大规模量产能力的企业，市场份额已进入全球同领域前五。

　　项目建成投产后，将用于开展高速器件与模块的中试工艺验证与智能制造，研发生产面向5G、F5G、6G、AI数据中心应用的高速光电子器件以及光收发模块产品。预计产值可达100亿元，推动武汉市光电芯片产业和高新技术发展，助力企业成为全球光器件的研发先行者和先导企业。

　　版权所有：武汉东湖新技术开发区管委会

　　地址：武汉市高新大道777号（高新大道与光谷四路交叉处）

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